英诺赛科：致力于第三代半导体硅基氮化镓研发与生产的高科技企业

  风云榜“年度独角兽奖”征集现已启动！入围规定要求为估值超过10亿美元（或等值60亿人民币）的未上市的行业优秀企业。评选将由中国半导体投资联盟129家会员单位及400多位半导体行业CEO共同担任评选评委。奖项的结果将在2021年1月份中国半导体投资联盟年会暨中国IC 风云榜颁奖典礼上揭晓。

  英诺赛科于2017年成立，是一家致力于第三代半导体硅基氮化镓研发与生产的高科技企业。英诺赛科采用IDM模式，集研发、设计、外延生长、芯片制造、测试与失效分析为一体，成功打造硅基氮化镓全产业链平台，产品涵盖30-900V功率半导体器件，IC及射频器件。英诺赛科30V-650V硅基氮化镓系列芯片产品已陆续推出并实现量产，为世界上唯一能够同时量产低压和高压硅基氮化镓芯片的企业。旗下拥有英诺赛科（苏州）半导体有限公司及英诺赛科（珠海）科技有限公司两家控股子公司。

  英诺赛科于2015年12月在珠海建设珠海8英寸硅基氮化镓研发生产基地，投资额超20亿元，目前产线运转稳定，产品持续出货中；于2018年在苏州吴江开始建造苏州8英寸硅基氮化镓研发生产基地，项目投资60亿元，苏州项目一期已于2020年9月完成厂房基本建设和生产设备搬入，2020年12实现试生产，预计2021年3月正式投产，项目建成后将成为全世界产能最大的8英寸硅基氮化镓量产线，全线万片功率控制电路及半导体电力电子器件的产能，可创造就业岗位2000名。

  英诺赛科目前总人数近1000人，成功聚集了国内外硅基氮化镓领域顶尖的人才。核心技术团队均来自于国际一流半导体企业，硅基氮化镓产业化经验比较丰富，专业领域涵盖：宽禁带半导体器件原理与器件设计、硅基氮化镓与碳化硅外延产业化技术、硅基氮化镓与碳化硅功率器件、射频器件产业化技术、MOCVD设备技术。

  英诺赛科基本的产品包括30V-650V 硅基氮化镓功率及射频器件。其中30V-650V 系列芯片产品已推出并实现量产，高压650V 器件可应用于汽车、等产业，低压30-200V 器件可应用于数据中心无人驾驶激光雷达等战略新兴起的产业，英诺赛科是世界上唯一能够同时量产低压和高压硅基氮化镓芯片的企业。可全面支持上述产业的关键功率芯片应用供应，打破国际垄断。

  英诺赛科与华为、浪潮、小米、OPPO、大疆、比亚迪、禾赛科技、安森美MPS等国内外厂商开展深入合作，功率器件和射频器件的应用开发。

  英诺赛科对集微网表示，基于公司氮化镓高压芯片的大功率、小型化手机快充已经全面推向市场，英诺赛科成为中国唯一一家提供手机快充氮化镓芯片的企业，打破了美国公司氮化镓快充芯片在该领域的垄断局面，公司“InnoGaN”氮化镓功率器件产品出货已达数百万颗。

  英诺赛科低压氮化镓产品已取代美国EPC 公司产品，成为中国领先的激光雷达企业禾赛科技的供应商，实现国产替代。

  此外，英诺赛科已成功开发出应用于数据中心的低压氮化镓电源管理芯片产品，可取代原有硅器件，大幅度提升系统效率，降低能耗及运营成本。

  英诺赛科与中国最为知名5G射频基站提供商开展广泛战略合作，积极开展应用于5G 基站的硅基氮化镓射频芯片开发，并计划于2021 年开始小批量生产，逐步实现5G 应用领域射频器件国产化。

  英诺赛科表示公司采用8英寸硅基氮化镓生产的基本工艺，相对其他尺寸的生产线英寸的生产的基本工艺的成本更低和技术工艺更优及提高器件的可靠性。

  英诺赛科结合德国爱思强MOCVD（G5+）和8英寸CMOS兼容晶圆制造线，解决了化合物半导体晶圆制造良率低、产能小、工艺不稳定的产业化技术瓶颈，成功实现了8英寸硅基氮化镓器件的大规模量产。

  此外，英诺赛科采用IDM全产业链模式，成功搭建了8英寸硅基氮化镓全产业链平台，内容涵盖研发、设计、外延生长、芯片制造、测试与失效分析。公司通过自主研发，攻克了8英寸硅晶圆衬底上外延生长氮化镓单晶材料的世界级难题，在世界上首次实现了8英寸硅基氮化镓材料与器件的大规模量产，同时填补了国内在该领域的空白。

  值得一提的是，英诺赛科在全世界内首次成功实现8英寸硅基氮化镓量产技术，技术全球领先。该量产技术为国内首次实现，解决了国家在第三代半导体领域卡脖子问题，实现了零的突破。英诺赛科产品均具有自主核心知识产权，截止到目前，英诺赛科已申请国内外核心专利超过250项。

  从20世纪60年代起，国际半导体工业已先后经历了第一代锗、硅器件和第二代砷化镓器件两个时代。目前，电子器件主要基于传统的硅半导体，经过几十年的发展，器件的性能已达到硅材料上限，不能够满足进一步提升电能转换效率的要求，已没有办法解决5G通信、数据中心、汽车等领域对器件高电压、高效能、高能量密度、高可靠性的要求。因此，以氮化镓为代表的第三代半导体器件正逐渐走上历史舞台。

  英诺赛科表示，受制于成本因素，目前氮化镓功率器件市场渗透率不到1%。未来，技术进步将推动氮化镓功率器件的成本迅速下降，慢慢的变成为低中压功率半导体市场的主流产品。氮化镓功率器件凭借其高频特性和电源转换效率，其出货量预期有较强的增长潜力，有望在功率半导体领域替换硅功率器件。且随着新能源汽车、5G 通信、数据中心、高速轨道交通的快速发展以及“新基建”的布局，氮化镓功率器件必将面向更加广阔的市场。

  无论从技术的发展的新趋势、应用导向还是国家政策层面，第三代半导体氮化镓具有十分广阔的未来市场发展的潜力。且中国作为全球最大的半导体消费市场，在市场风口到来、产业火热加码布局等利好因素加持下，国内第三代半导体产业正在进击前行。随着相关企业持续扩增产能、降低生产所带来的成本、提升产品可靠性，国产第三代半导体器件在下游应用市场的渗透率将日渐提升，并实现国产替代。

  英诺赛科将一如既往坚持创新研发，为“新基建”注入新动能，加快5G通信、数据中心等新型基础设施建设进度，以创新驱动发展助力中国“芯”突破，在庞大的半导体产业中实现对进口技术和产品的替代，让中国成为第三代半导体硅基氮化镓制造的世界第一。

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